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” 的搜索结果(共 200 个)
对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 IRFBG32-002PBF Infineon Technologies AG
2.1A, 1000V, 6.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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对比 IRFP7537PBF Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor,
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AD IRF6644TRPBF Infineon Technologies
MOSFET/FET,IRF6644 - 12V-300V N-Channel Power MOSFET
对比 IRF9388TRPBF Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8
获取价格 ¥6.6582 ECAD2
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对比 IRF5M4905SCVC Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3
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对比 IRFR3411PBF Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3
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对比 IRFI1010N-105 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
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对比 IRFI1010N-105PBF Infineon Technologies AG
49A, 55V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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对比 IRFY340PBF Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, TO-257AA, 3 PIN
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对比 IRFIZ34N-029PBF Infineon Technologies AG
19A, 55V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
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对比 IRF1405LPBF Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor,
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对比 IRFI634-010 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
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对比 IRFI634-010PBF Infineon Technologies AG
5.6A, 250V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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对比 IRFR7746PBF Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor,
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对比 IRFI3205-002 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
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对比 IRFI540N-024PBF Infineon Technologies AG
18A, 100V, 0.052ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
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对比 IRFI540N-024 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
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对比 IRFHS8242TRPBF Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 25V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, 2 X 2 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-6
获取价格 ¥4.0528 ECAD2
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对比 IRFZ30-006 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
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对比 IRF833-012 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 450V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
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对比 IRFIZ44-011 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
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